同志社大学理工学部クリーンルーム内のVG80Hを改良したプラズマ支援分子線エピタキシー成長装置を利用してSi基板からスタートしてダブルバッファー層の作製、AlNのテンプレートの成長を経由して目的とする3族窒化物半導体単結晶薄膜を分子線エピタキシー（MBE)法で作製し、その成長膜の結晶性の評価をいたします。

事業所名	界面反応成長研究所（Interface Reaction Epitaxy Laboratory）
所在地	〒610-0313 京都府京田辺市三山木七瀬川３−１９
電話番号	0774-63-2168
FAX番号	0774-63-2168
設立	2012年2月12日
代表者	大鉢　忠
事業内容	プラズマ支援分子線エピタキシャルにより界面反応エピタキシャル法と活性度変調MEE法を用いてSi基板上に3族窒化物半導体単結晶薄膜成長法を実用化する基礎研究を実施。Si基板上に成長させた3族窒化物半導体単結晶薄膜のX線による結晶性の評価。