お知らせ
第48回結晶成長国内会議(JCCG-48) 大阪大学 銀杏会館
「多波X 線回折法による高結晶品質GaN 単結晶基板評価」の報告を行う
資料紹介を参照(PDF)

2018年窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2018)が2018年11月11日(日)から16日(金)の日程で、石川県立音楽堂およびANAクラウンプラザホテル金沢で開催され11月15日にポスター発表をしました。
(http://www.iwn2018.jp/)
発表予稿とポスターは”資料紹介”を参照下さい。

第47回結晶成長国内会議にて 仙台市先生復興記念会館
「Reinninger Scan法による六方晶極性結晶c面極性判定」
の発表を行いました。
発表予稿とポスターは”資料紹介”を参照下さい。

経済産業省の「先進技術マイスター制度」により、竹本菊郞所長が平成29年度の「半導体材料(化合物関係)部門」の“マイスター称号”を拝受させて頂きました。
本制度は昨年度(平成29年度)より、経済産業省で設立され、企業OB 等の知見を活かし、政策検討・立案のエビデンス強化、研究開発予算等の政策資源のより効率的な配分、人材を通じた技術流出防止等の効果を期待するものです。経済産業省の依頼を受けて調査レポートを執筆し、調査レポートの内容等が一定水準を満たす場合に認定され、特別に名刺が発行されるものです。
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日本結晶成長学会 ナノ構造 ・エピタキシャル成長分科会 エピタキシャル成長分科会 2018 年講演会
第10 回 ナノ構造 ナノ構造 ・エピタキシャル成長講演会で
「Renninger Scan法によるGaN基板の結晶性評価
ー パターン強度分布のX線波長,照射面積依存性 ー」
のポスター発表を行いました
発表予稿とポスターは”資料紹介”を参照下さい。
第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)浜松ホテルコンコルドにて
「小発散角入射X線平行ビームによるGaN基板表面0001対称禁制反射6回対称Phiスキャンパターン」の発表を行いました。
発表予稿とポスターは”資料紹介”を参照下さい。
竹本菊郎が第5回 電子デバイス・回路・照明・システム関連教育・研究ワークショップにて基調講演と特別賞を受賞しました。於:広島工業大学
[基調講演]:「半導体材料」関連の流れと今後のあり方
― 窒化物系半導体材料の現状と今後への期待 ―
レジュメを参照(PDF)
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新しい、IRE研究所のオフィスを以下の住所へ変更いたしました。
〒610-0313京都府京田辺市三山木七瀬川3−19
D-eggを本日付で卒業し、311号室から退居しました。
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)に参加して研究発表をしました。
研究資料参照
ホームページを新しくしました
日本結晶成長学会第39回結晶成長(国際)討論会 参加
2015年9月24〜26日 びわこリトリートセンター
"777 Triple Seven Mascot for understanding Hexagonal and Cubic Closest Packing"のポスター発表をしました。
資料を参照(PDF)
界面反応成長研究所の運営と研究開発を強化するために竹本菊郞技術顧問を研究所所長に選任しました。
IREL のホームページシステムを変更しました。
以前のindex.htmlはindex.phpに変更されております。
2015/5/7-8 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会
2015年春季講演会
第7回 窒化物半導体結晶成長講演会(プレISGN-6)に参加し発表しました。片平さくらホール(東北大学片平キャンパス)
要旨とポスターは研究資料参照
研究所設立3周年
D-eggの居室を311号室へ移動しました。

第44回結晶成長国内会議(NCCG-44) 学習院創立百周年記念会館(東京目黒)に参加し、ポスター発表を行いました。
要旨とポスターは資料照会参照
2014年3月3日-6日 ISPlasma2014(名城大学)に参加し、ポスター発表を行いました。
要旨とポスターは資料紹介参照
研究所設立2周年
2013年11月6-8日 第43回結晶成長国内会議(NCCG-43 )長野市生涯学習センター(長野県長野市)に参加し、ポスター発表を行いました。
要旨とポスターは資料紹介参照
D-egg Cocktail 京都産業21との共催
第3回「京都事業継続・企業支援ネットワーク実務交流会」兼「橋渡しマッチング会 in D-egg」
D-egg 2階会議室で開催、入居企業の3つのうちの一つとして20分間の企業プレゼンテーションを行いました。
2013/9/16-20 同志社大学京田辺キャンパスでの第74回応用物理学会学術講演会とJSAP-MRS joint symposiumにてJ-sectionでInterface Reaction Epitaxial (IRE) Growth and Double Buffer Layer (DBL) of AlN on Si using PA-MBE ポスター発表をしました。 資料紹介参照
(株)半導体理工学研究センター(STARC)主催のTARCワークショップ2013で2013/9/12ポスター発表を致しました。 資料紹介参照
https://www.starc.jp/events/workshop2013/
ポーランドワルシャワで開催の第17回結晶成長国際会議(ICCGE-17)参加
11~18日 資料紹介参照
http://science24.com/event/iccge17/
ICCGE-17においてIRE研究所の展示を行い、京田辺市の展示出展事業の補助金を受けた。ポスター展示を行った。
第4回3族窒化物結晶成長国際シンポジウム(ISGN4)
発表論文出版 資料紹介参照
研究所設立1周年
ISPlasma2013
1月28日から2月1日まで名古屋大学豊田講堂にて開催のISPlasma2013に参加しポスター報告をしました。 資料紹介参照
http://www.isplasma.jp/japanese/committee/index.html
島屋ベンチャーフェスタ2012
11月15日(木)16日(金)の両日、大阪産業創造館(通称 産創館)で開催された島屋ベンチャーフェスタ2012でポスター発表と講演を行いました。 資料紹介参照
11月9日~11日、九州大学筑紫キャンパスで開かれた第42回結晶成長国内会議(NCCG=42)にて口頭発表しました。 資料紹介参照
界面反応成長研究所のロゴマークを制定した。

同志社大学多々羅キャンパスで開催されたビジネスフェアin京たなべ2012 展示出品(ポスター)しました。資料紹介参照
第17回分子線エピタキシー国際会議 MBE2012(9月23日~28日:奈良)にポスター発表をしました。 資料紹介参照

第4回3族窒化物結晶成長国際シンポジウム(ISGN4 7月16日~19日:ロシア、サンクトペテルブルグ)に参加ポスター発表しProceedings論文提出。伊丹、羽田、パリ経由でサンクトペテルブルグへ。 資料紹介参照
ホームページを公開しました。
D-eggに入居しました。

研究所を開設いたしました。