研究所業務
１．MBE法によるエピタキシャル膜製造法の開発
- Si基板上の3族窒化物AIN,GaN,InNおよびこれらの混晶の単結晶薄膜 製造
- Si基板上のAlInN/GaN界面を利用した高移動度HEMT電子デバイスの製造
- Si基板上のAlInN/GaN界面を利用した量子井戸構造テラヘルツ電子デバイスの製造
２．MBE装置のメンテナンスアドバイス
- 実習によるアドバイス
- ビデオによるアドバイス
３．３族窒化物半導体のMBE成長関連資料の提供
４．電磁誘導結合高周波放電プラズマセルの開発や使用のアドバイス