結晶成長界面の精密制御により、世の中に役立つ研究成果を創出することを目指します。

１．省資源、省エネルギーに繋がるGaN系結晶成長の基本技術創りを目指します。
２．結晶界面の独自の分析評価により、新たな情報提供と支援つくりを目指します。

ＧａＮ系結晶を基軸としたⅢ族窒化物系半導体材料のプラズマ支援高周波分子線エピタキシー（RF-ＭＢＥ）成長装置を利用した成膜技術開発を行ない、特に、Ｓｉ基板上のＧａＮ系の成膜を実施する方法として、特異なダブルバッファー層の作成、ＡｌＮのテンプレートを経由した手法により、独自の界面特性の創出を図っている。さらにMBE法以外の界面反応の精密制御による種々の成膜技術の研究開発も推進中である。併せて、成長させた膜の結晶性評価も支援している。

結晶成長に軸足を置き、界面反応の成膜特性の改善のために、放電生成窒素原子ならびに励起分子利用の活性度変調AM-ＭＥＥ法を開発し、Ｓｉ基板上のＧａＮ系成膜の高品質化および評価等を推進している。