IRE Laboratory

お知らせ

2018-11-11
2018年窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2018)が2018年11月11日(日)から16日(金)の日程で、石川県立音楽堂およびANAクラウンプラザホテル金沢で開催され11月15日にポスター発表をしました。
(http://www.iwn2018.jp/)

発表予稿とポスターは”資料紹介”を参照下さい。

2018-10-31
第47回結晶成長国内会議にて 仙台市先生復興記念会館
「Reinninger Scan法による六方晶極性結晶c面極性判定」
の発表を行いました。

発表予稿とポスターは”資料紹介”を参照下さい。

2018-08-01
経済産業省の「先進技術マイスター制度」により、竹本菊郞所長が平成29年度の「半導体材料(化合物関係)部門」の“マイスター称号”を拝受させて頂きました。

本制度は昨年度(平成29年度)より、経済産業省で設立され、企業OB 等の知見を活かし、政策検討・立案のエビデンス強化、研究開発予算等の政策資源のより効率的な配分、人材を通じた技術流出防止等の効果を期待するものです。経済産業省の依頼を受けて調査レポートを執筆し、調査レポートの内容等が一定水準を満たす場合に認定され、特別に名刺が発行されるものです。

研究所理念

結晶成長界面の精密制御により、世の中に役立つ研究成果を創出することを目指します。

研究指針

1.省資源、省エネルギーに繋がるGaN系結晶成長の基本技術創りを目指します。
2.結晶界面の独自の分析評価により、新たな情報提供と支援つくりを目指します。

研究所案内

GaN系結晶を基軸としたⅢ族窒化物系半導体材料のプラズマ支援高周波分子線エピタキシー(RF-MBE)成長装置を利用した成膜技術開発を行ない、特に、Si基板上のGaN系の成膜を実施する方法として、特異なダブルバッファー層の作成、AlNのテンプレートを経由した手法により、独自の界面特性の創出を図っている。さらにMBE法以外の界面反応の精密制御による種々の成膜技術の研究開発も推進中である。併せて、成長させた膜の結晶性評価も支援している。

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研究内容

結晶成長に軸足を置き、界面反応の成膜特性の改善のために、放電生成窒素原子ならびに励起分子利用の活性度変調AM-MEE法を開発し、Si基板上のGaN系成膜の高品質化および評価等を推進している。

  1. Si基板上GaN系エピタキシャル成膜手法の開発
  2. エピタキシャル成長膜、デバイス構造膜の開発と試作販売
  3. X線回折結晶性評価法の開発と成長結晶の評価受託
  4. 電磁誘導結合高周波プラズマセルの開発
  5. 種々の成膜技術に関わる技術指導およびアドバイス
  6. 結晶最密構造モデルの開発と販売

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プロフィール

産学連携

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